News release: Identifying imperfections with Raman spectroscopy (pdf)
Rozmiar pliku: 2,25 MB
Język: English
An article in Compound Semiconductor magazine, October 2015, describes how Raman spectroscopy allows routine mapping of SiC wafers in little more than an hour.
Ten typ pliku wymaga przeglądarki dostępnej bezpłatnie w witrynie Adobe
Nie znalazłeś szukanej pozycji?
powiedz, czego nie mogłeś znaleźć, a my postaramy się pomóc